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CVD氣相沉積基本特點(diǎn)
日期：2025-12-06 22:10
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摘要：
CVD氣相沉積基本特點(diǎn)
CVD(CVD氣相沉積)技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認(rèn)為是有機(jī)金屬CVD(OMCVD)。
CVD(CVD氣相沉積)技術(shù)常常通過反應(yīng)類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強(qiáng)CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然后，還有金屬有機(jī)物CVD(MOCVD)，根據(jù)金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態(tài)是液態(tài)，在導(dǎo)入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認(rèn)為是有機(jī)金屬CVD(OMCVD)。
過去，對LPCVD(CVD氣相沉積)和APCVD*常使用的反應(yīng)室是一個簡單的管式爐結(jié)構(gòu)，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應(yīng)用于沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎(chǔ)薄膜(氧氣中有硅元素存在將會*終形成為高質(zhì)量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應(yīng)也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進(jìn)行)。
而且，*近，單片淀積工藝推動并導(dǎo)致產(chǎn)生了新的CVD反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。這些新的結(jié)構(gòu)中絕大多數(shù)都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應(yīng)過程，也有一些系統(tǒng)外加一個按鈕，以控制淀積膜的質(zhì)量。在PECVD和HDPCVD系統(tǒng)中有些方面還特別令人感興趣是通過調(diào)節(jié)能量，偏壓以及其它參數(shù)，可以同時有沉積和蝕刻反應(yīng)的功能。通過調(diào)整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。
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